勻膠旋涂儀主要用微細加工、半導體、微電子、光電子和納米技術工藝中在硅片、陶瓷片上勻膠等工藝與光刻、烘烤等設備配合使用。勻膠旋涂儀價格實惠，操作簡單，結構小巧緊湊，占地空間小，為實驗室提供了理想的解決方案。能夠較大限度的保證旋涂均勻；可對大小不同規(guī)格的基片進行旋涂。
 

　　勻膠旋涂儀通過在片托上產生負壓，將需要旋涂的基底材料吸附在片托上,膠液滴注在基底材料的表面,通過準確調節(jié)電機的旋轉速度,以此來改變離心力大小，同時通過滴膠裝置控制膠液的流量,來達到制備薄膜所需的厚度,另外薄膜厚度也取決于旋涂時間，膠液的粘度,余覆的溫度和濕度等環(huán)境因素。
 

　　滴膠這一步把光刻膠滴注到基片表面上，高速旋轉把光刻膠鋪展到基片上形成簿層，干燥這一步除去膠層中多余的溶劑。兩種常用的滴膠方式是靜態(tài)滴膠和動態(tài)滴膠。
 

 

　　靜態(tài)滴膠就是簡單地把光刻膠滴注到靜止的基片表面的中心，滴膠量為1-10ml不等。滴膠的多少應根據(jù)光刻膠的粘度和基片的大小來確定。粘度比較高或基片比較大，往往需要滴較多的膠，以保證在高速旋轉階段整個基片上都涂到膠。
 

　　動態(tài)滴膠方式是在基片低速(通常在500轉/分左右)旋轉的同時進行滴膠，“動態(tài)”的作用是讓光刻膠容易在基片上鋪展開，減少光刻膠的浪費，采用動態(tài)滴膠不需要很多光刻膠就能潤濕(鋪展覆蓋)整個基片表面。尤其是當光刻膠或基片本身潤濕性不好的情況下，動態(tài)滴膠尤其適用，不會產生針孔。滴膠之后，下一步是高速旋轉。使光刻膠層變薄達到要求的膜厚，這個階段的轉速一般在1500-6000轉/分，轉速的選定同樣要看光刻膠的性能(包括粘度，溶劑揮發(fā)速度，固體含量以及表面張力等)以及基片的大小?？焖傩D的時間可以從10秒到幾分鐘。勻膠的轉速以及勻膠時間往往能決定膠膜的厚度。
 

　　勻膠旋涂儀旋轉速度的快慢和控制精度直接關系到旋涂層的厚度控制和膜層均勻性。如果標示的轉速和電機的實際轉速如果誤差很大，對于要求精密涂覆的科研人員來說是無法獲得準確的實驗數(shù)據(jù)的。勻膠旋涂儀的真空泵一定要選用無油的，壓力標定準確，因為任何的油污都可能堵塞真空管道，如果真空吸附力降低，會導致基片吸附不住而產生“飛片”的情況，還會讓滴膠液不慎進入真空管道系統(tǒng)造成堵塞。